- 브랜드 : Kingston Technology
- 제품 라인 : ValueRAM
- 제품 이름 : 4GB DDR3-1600
- 제품 코드 : KVR16S11S8/4
- GTIN (EAN/UPC) : 0740617207781
- 카테고리 : 메모리 모듈
- 데이터 시트 품질 : Icecat에 의해 생성/표준화됨
- 제품보기 : 376776
- 수정된 정보 : 14 Mar 2024 17:55:38
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Short summary description Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 메모리 모듈 4 기가바이트 1 x 4 기가바이트 1600 메가헤르츠
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Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600, 4 기가바이트, 1 x 4 기가바이트, DDR3, 1600 메가헤르츠, 204-pin SO-DIMM
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Long summary description Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600 메모리 모듈 4 기가바이트 1 x 4 기가바이트 1600 메가헤르츠
:
Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600. 의 구성 요소: 노트북, 내장 메모리: 4 기가바이트, 메모리 레이아웃(모듈 x 크기): 1 x 4 기가바이트, 내장메모리종류: DDR3, 메모리 클락 속도: 1600 메가헤르츠, 메모리 폼 팩터: 204-pin SO-DIMM, CAS 지연시간: 11
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특징 | |
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버퍼 메모리 유형 | Unregistered (unbuffered) |
CAS 지연시간 | 11 |
내장 메모리 | 4 기가바이트 |
메모리 레이아웃(모듈 x 크기) | 1 x 4 기가바이트 |
내장메모리종류 | DDR3 |
메모리 클락 속도 | 1600 메가헤르츠 |
의 구성 요소 | 노트북 |
메모리 폼 팩터 | 204-pin SO-DIMM |
ECC | |
메모리 버스 | 64 비트 |
메모리 순위 | 1 |
메모리 전압 | 1.5 볼트 |
모듈 컨피규레이션 | 512M X 64 |
로우 사이클 타임 | 48.125 나노초 |
리프레시 로 사이클 타임 | 260 나노초 |
로우 액티브 시간 | 35 나노초 |
원산지 | 대만 |
특징 | |
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납 도금 | 금 |
친환경 조건 | |
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작동 온도 범위 | 0 - 85 도 |
저장장치 사용 가능 온도 범위 | -55 - 100 도 |
무게 및 크기 | |
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너비 | 67.6 밀리미터 |
높이 | 30 밀리미터 |
패키지 데이타 | |
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패키지 종류 | SO-DIMM |
로지스틱 데이터 | |
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Harmonized System(HS) 코드 | 84733020 |
기타기능 | |
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칩스 오가니제이션 | X8 |
버스 클락률 | 1600 메가헤르츠 |
에러 표시 | |
메모리 레이아웃 | 1 x 4096 메가바이트 |
내장 메모리 | 4096 메가바이트 |
국가 목록 | 유통업체 |
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