Integral IN3V1GNYNGI módulo de memoria 1 GB DDR3
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creada/estandarizada por icecat
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Información modificada el:
29 May 2025, 14:33:51
Descripción corta, sumario Integral IN3V1GNYNGI módulo de memoria 1 GB DDR3:
Integral IN3V1GNYNGI, 1 GB, DDR3, 1066 MHz, 204-pin SO-DIMM
Descripción larga, sumario Integral IN3V1GNYNGI módulo de memoria 1 GB DDR3:
Integral IN3V1GNYNGI. Componente para: Portátil, Memoria interna: 1 GB, Tipo de memoria interna: DDR3, Velocidad de memoria del reloj: 1066 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 7